Вересів Г.П. Електроживлення побутової радіоелектронної апаратури. - М .: Радио и связь, 1983. - 128 с., Іл

Наша сеть партнеров Banwar

2. Вересів Г.П. Електроживлення побутової радіоелектронної апаратури. - М .: Радио и связь, 1983. - 128 с., Іл.

Робота № 2. ТРИ Схеми включення транзистора

Мета роботи - вивчити, як впливають різні способи включення біполярного транзистора і величина опору навантаження на властивості підсилювального каскаду,

Тривалість роботи - 3,5 години.

Теоретична частина

У транзисторних схемах джерело сигналу може включатися в ланцюг бази або емітера, навантаження - в ланцюг колектора або емітера, а третій електрод транзистора виявляється загальним для вхідний і вихідний ланцюга. Залежно від того, який електрод транзистора виявляється загальним, розрізняють схеми ОЕ (про загальним емітером), О (з загальною базою) і ОК (із загальним колектором), показані на рис. 7.

У цих схемах конденсатори С1 і С2 служать для зв'язку каскаду з джерелом сигналу і навантаженням на змінному струмі і виключають в той же час вплив джерела сигналу і навантаження на режим роботи каскаду по постійному струму. Резистори R1, R2, Rк і Rе забезпечують обраний режим роботи транзистора в активній області, тобто вибране положення робочої точки на вольт-амперних характеристиках транзистора. Конденсатор СЗ виконує роль блокувального конденсатора, виключаючи з роботи на змінному струмі резистор Rе (каскад ОЕ) або дільник напруги в ланцюзі бази R1, R2 (каскад ПРО), і тим самим забезпечує приєднання емітера (бази) до загальної точки схеми.

Для аналізу транзисторних схем важливо знати, як пов'язані електродні струму і напруги між висновками транзистора, тобто знати вольт-амперні характеристики.

При аналізі каскаду ОЕ зручно користуватися залежностями Iб = f1 (Uбе, Uке) і Ік = f2 (Uке, Іб). Перші з них називаються сімейством вхідних, а другі - сімейством вихідних характеристик. Їх типовий вигляд наведений на рис. 8. Тут же наведена побудована навантажувальна пряма по постійному струму і обрана на ній робоча точка транзистора А з координатами IкА, UкеА, Іб, яка відображена також на сімействі вхідних характеристик і має координатори IбА, (UбеА, IкеА). Для побудованої навантажувальної прямої Ік = (Ек-Uке) / (Rк + Rе) (рис.8) транзістop буде працювати в активному режимі при токах бази в діапазоні Iк0 - IбН.

У підсилюючих схемах транзистор працює в активному режимі коли емітерний перехід зміщений прямо (для р-п-р-транзистора Uбе> 0), а колекторний - назад (Uбк> 0). При цьому транзистор має підсилювальними властивостями і струми його електродів пов'язані між собою через статичні коефіцієнти передачі по струму транзистора В і a

В = Ік / Іб, В + 1 = Iе / Іб, a = Ік / Iе

звідки випливає, що В = a / (1-a), a = В / В + 1.

Мал. 8. Статичні вольт-амперні характеристики транзистора: а) вихідні, б) вхідні.

Для оцінки параметрів підсилювача його принципову схему перетворять в еквівалентну, в якій транзистор заміщується своєї малосигнальної еквівалентною схемою рис. 9.

Нас цікавлять формули для кu, кi, Кp, Rвх і Rвих в діапазоні середніх частот. На цих частотах можна не враховувати частотну залежність коефіцієнта передачі по току і ємність СКЕ (вона відкидається). Ємності конденсаторів CI, C2 і СЗ вибирають настільки великими, щоб на середніх частотах їх опір було дуже незначним в порівнянні з сумарним опором оточуючих їх резисторів. Тому в еквівалентній схемі на рис.10 вони представлені коротко- замкнутими гілками. Те саме можна сказати і до джерела живлення Ек, так як схема на рис.10 справедлива тільки для змінних складових струмів і напруг. З урахуванням сказаного резистори R1 і R2, так само як і резистори Rк і RH (RH - навантаження, підключається до вихідних клем підсилювача), виявляються з'єднаними паралельно. Тому в еквівалентній схемі фігурують Rб = R1 || R2 і RkH = Rk || RH. Аналогічно можна отримати еквівалентні схеми для каскадів ПРО і ОК. Застосовуючи до еквівалентним схемами каскадів відомі методи аналізу електричних ланцюгів (наприклад, метод контурних струмів), можна отримати наближені формули для оцінки основних параметрів підсилюючих каскадів, представлені в таблиці. У цих формулах

RЕH = RЕ || RH Rвх трое = rf + rЕ (B + 1), де rЕ = 26 мВ / IЕА, R '= RrRб / (Rr + Rб), а Rr- внутрішній опір джерела сигналу. Для всіх схем кр = кuкi.

Верхня гранична частота смуги пропускання (на цій частоті U вих в разів менше, ніж на середній частоті) транзисторного каскаду залежить від параметрів транзистора fh21б, B, Cк, rб і rе, навантаження RH, CH, внутрішнього опору джерела сигналу Rr і схеми включення транзистора. Дkя будь-якого підсилювального каскаду fв = (2ptв) -1 де tв = G (t в + CкеRкH) + CHRкH. В останній формулі t в = (B + 1) / 2p fh21б, Cке = Cк (B + 1), а коефіцієнт G для кожної схеми включення транзистора обчислюють за формулами таблиці.

опис макета

Досліджувана в роботі схема представлена ​​на рис. II. За допомогою перемикачів, розташованих на передній панелі лабораторної установки, можна шляхом відповідної комутації емітерний, базової і колекторної ланцюгів транзистора зібрати будь-який з трьох каскадів (ОЕ, ПРО або ОК).

Для оцінки вхідного струму підсилювача служать вимірювальні резистори R1 (ОЕ, ОК) і R6 (ПРО). При цьому iвх = (Uг-Uвх) / Rизм, де Uг. - напруга на клемах генератора, Uвх напруга на вході підсилювача (за вимірювальним резистором).

При опеньки вихідного опору підсилювача

Rвих = U вих xx / iвих кз будемо вважати, що холостий хід на виході підсилювача виникає, якщо встановити RH = RHмакс, а режим короткого замикання - при RH = RHмін, так як інших можливостей дана лабораторна установка не надає.

Мал. II. Схема макета лабораторної роботи № 2

Харчування підсилювального каскаду здійснюється від джерела G1, напруга на виході якого встановлюють 10 В.

У досліджуваної схемою стоїть малопотужний низькочастотний транзистор МП42А (fh21б = 1¸3 мГц, В = 30¸50, rб = 200 Ом, Ск = 30 пФ, Ркмакс = 200 мВт). Резистори і конденсатори мають такі номінали: R1 = 1 кОм, R2 = 11 кОм, R3 = 5.1 кОм, R4 = R5 = R9 = 3.6 кОм, R6 = 470 Ом, R7 = 20 Ом, R8 = 510 Ом, R10 = 10 кОм , С1 = С2 = С3 = 20 мкФ.

завдання

Підготувати до роботи генератор стандартних сигналів (ГСС) і мілівольтметр змінного струму з великим вхідним опором. Ознайомившись з призначенням органів управління лабораторної установки і приєднавши до неї вимірювальні прилади, підключити установку до мережі змінного струму.

1. Подаючи на вхід схеми синусоїдальний сигнал з частотою fc = 2кГц (середня частота для підсилювача) і напругою Uг = 35 мВ, для кожного з каскадів ОЕ, ПРО, ОК провести експериментальну оцінку малосигнальних параметрів каскаду Rвх, кi, кu, кр, Rвих різних опорах навантаження RН. Побудувати залежності параметрів підсилювача від RН.

2. Використовуючи формули таблиці, оцінити ті ж параметри підсилювача і обчислити відносне розходження між експериментальними і аналітичними результатами.

3. Користуючись експериментальними даними визначити, який каскад і за яких RН має найбільшу посиленням за проектною потужністю. Поясніть чому?

4. Дати висновок, як співвідносяться між собою у різних каскадів кi, кu, Rвх, Rвих. Поясніть отримані результати.

5. Експериментально визначити верхню граничну частоту для кожного з каскадів ОЕ, ПРО і ОК при RН = R10. Напруга на виході ГСС підтримувати незмінним на всіх частотах і рівним 35 мВ.

6. Розрахувати fв для кожного каскаду і зіставити розрахункові і експериментально отримані значення між собою.

Контрольні питання

1. Яка малосигнальная еквівалентна схема транзистора, транзисторних каскадів ОЕ, ПРО, ОК?

2. Чим відрізняються між собою підсилювальні каскади ОЕ, ПРО, ОК (схемні відмінності, відмінності в параметрах і характеристиках)?

3. Як виміряти вхідний і вихідний опору підсилювача, посилення по напрузі, струму, потужності?

4. Поясніть, чому виникають спотворення в транзисторних каскадах? Яка природа виникають спотворень?

5. Дайте визначення граничної частоти підсилювача.

література

1. В.Г.Гусев, Ю.М.Гусев. Електроніка. - М .: Вища школа, 1982. - С. I62-I78.

2. Е.І.Манаев. Основи радіоелектроніки. - М .: Радио и связь, 1985. - С. 95-100, I30-I32.

Робота № 3. ключовою РЕжим РОБОТИ ТРАНЗИСТОРА

Мета роботи - дослідити статичні режими і перехідні процеси в схемі простого транзисторного ключа. Тривалість роботи - 3,5 години.

Теоретична частина

Транзисторні ключі (ТК) є основою логічних елементів ЕОМ. Дня відображення двійкових символів використовуються статичні стану ТК, в яких транзистор працює в режимах відсічення або насичення. Під час перехідних процесів при перемиканні з одного статичного стану в інше транзистор працює в нормальному і інверсному активних режимах.

Основними параметрами статичних станів ТК є напруга насичення Uкен і зворотний струм Jко. Режим відсічення ТК (рис. 12) характеризується низьким рівнем напруги

U вих = -Ек + JкоRк »-Ек. У режимі насичення через ТК протікає струм

U вих = Uке »0.

Основними параметрами перехідних процесів є: при включенні ТК tз - час затримки і tф - тривалість фронту, а при виключенні tрас - час розсмоктування накопиченого в базі заряду і tc - тривалість зрізу.

На рис. 13 представлені тимчасові діаграми, що ілюструють перехідні процеси в ТK. Час затримки , Де tвх = RбСвх; Uб0- початкова напруга на Свх. Тривалість фронту визначається за формулою

Мал. 13. Тимчасові діаграми роботи транзисторного ключа

Для зручності виміру фронту його часто визначають як час наростання струму від рівня 0.1Jкн до рівня 0.9Jкн; . У цих формулах (Fв- верхня гранична частота каскаду ОЕ), а - коефіцієнт насичення. Струм бази, відповідний кордоні насичення,

Час розсмоктування заряду в базі , Де tu - час життя неосновних носіїв в базі в режимі насичення.

Час розсмоктування характеризується інтервалом часу від моменту подачі замикаючого вхідної напруги + Еб2 до моменту, коли заряд в базі зменшується до граничного значення Qгр = Jбнtu, при якому транзистор переходить з насиченого стану в активний режим. Якщо колекторний перехід замикається раніше емітерного (tк <tе) то транзистор переходить в нормальний активний режим, якщо навпаки (tеu <tкu), то в інверсний активний режим. В останньому випадку на графіку Jk і Uк з'являється характерний викид (рис. 13, штрихові лінії).

Закінчується перехідний процес при виключенні транзистора зрізом вихідної напруги (заднім фронтом). Тривалість tc можна оцінити, вважаючи, що процес формування заднього фронту закінчується при Q »0. тоді .

Однак в реальних схемах велика частина зрізу вихідного напруги відбувається, коли транзистор знаходиться в режиму відсічення. Тому тривалість зрізу визначається постійної часу tк = RкСк або tк = Rк (Ск + Сн) з урахуванням ємності навантаження Сн. Конденсатор С в схемі ТК (рис. 12. пунктир) є форсують. Він дозволяє збільшити струми бази Jб1 і Jб2 нa короткий проміжок часу, в той час як стаціонарні струми бази практично не змінюються, це призводить до підвищення швидкодії ТК. Іншим способом збільшення швидкодії ТК є введення нелінійного зворотного зв'язку. Діод з малим часом відновлення (діод Шоттки), включений між колектором і базою, запобігає глибокому насичення ТК, фіксуючи потенціал колектора щодо потенціалу бази. Такі ТК називають ненасиченими.

опис макета

Макет, схема якого показана на рис. 14, дозволяє досліджувати статичні стану ключа і перехідні процеси в ньому. У першому випадку за допомогою перемикача BI можлива подача в ланцюг бази низького рівня напруги від джерела G1 з опором в його -ланцюга R1. Для вимірювання постійних струмів і напруг в ланцюгах ключа використовується прилад, встановлений на панелі лабораторного стенду про межами вимірювання струму J1 = 20 мА, J2 = 200 мкА, U1 = 20В, U2 = 0,2 В.

Мал. 14. Схема макета лабораторної роботи і 3

При дослідженні перехідних процесів на вхід схеми подаються імпульси негативної полярності амплітудою не більше 15 В від генератора прямокутних імпульсів. У схемі макета передбачена можливість установки в колекторної та базової ланцюгах транзистора різних деталей (резисторів і конденсаторів) з метою дослідження впливу їх параметрів на властивості досліджуваного ключа. Так, можлива зміна резисторів в колекторної ланцюга (перемикач В4), підключення до схеми прискорює конденсатора С2 (переключательВ2), підключення до виходу ключа навантажувального конденсатора СЗ (перемикач ВЗ). У схемі встановлений малопотужний низькочастотний транзистор МП42А (fa = I ... 3 мГц, Встав = 30 ... 60, Ск = 30 пф, Ркмакс = 200мВт). Резистори і конденсатори мають такі номінали:

R1 = 75 кОм, R6 = 5,1 кОм R2 = 3 кОм R7 = 10 кОм R3 =, 130 Ом. R8 = 75 кОм R4 = 910 Ом, C1 = 10,0 МКФ R5 = 30 кОм C2 = 1000 пФ C3 = 470 пф.

Напруга джерела G1 слід встановити рівним 10 В.

завдання

1. Виміряти статичний коефіцієнт посилення по току транзистора, встановленого в ключі.

2. Дослідити статичні стану ТК при різних Rк. Визначити величину опору Rк, відповідну межі насичення.

3. Дослідити характеристики ТК в динамічному режимі. Виявити залежності основних параметрів перехідних процесів tф, tрас, tc від амплітуда вхідної напруги. Побудувати відповідні графіки. Для одного з значень вхідної напруги рассчітать- tф, tрас, tc за наведеними формулами. Оцінити розбіжність розрахункових величин і виміряних.

4. Дослідити вплив форсує конденсатора на основні параметри перехідних процесів.

5. Визначити, на які параметри ТК впливає конденсатор навантажувальної ланцюга.

6. Визначити, при яких параметрах комутованих елементів схеми ТК макета виникає інверсне замикання.

Контрольні питання

1. Яке призначення ключовий схеми?

2. Якими основними параметрами характеризується ключ?

3. Як залежать параметри перехідних процесів від глибини насичення?

4. Що таке інверсне замикання ТК?

5. У чому сенс введення форсує конденсатора?

6. Як впливає ємність навантаження на тривалість перехідних процесів?

7. Як впливає амплітуда вхідного сигналу на параметри ТК?

8. Поясніть процеси в ТК по тимчасовій діаграмі.

література

Гусєв В.Г., Гусєв Ю.М. Електроніка. - U .: Вища школа, 1982. - 495 с., Іл.

Робота №4. Униполярного ТРАНЗИСТОР У широкосмугових підсилюючих каскадів З RC-зв'язку.

Мета роботи - встановити зв'язок між параметрами униполярного транзистора і інших деталей схеми і параметрами ШУ, вивчити способи розширення смуги пропускання ШУ.

Тривалість роботи - 3,5 години.

Теоретична частина

На рис.15 наведена принципова схема підсилювального каскаду з RC-зв'язками на уніполярному транзисторі. Конденсатори Cp1, Cp2 .разделяют каскаду по постійному струму, резистор R3 забезпечує витік струму в цеgі затвора.

При аналізі роботи підсилювачів на першому етапі розглядають роботу схеми на постійному струмі, тобто визначають положення робочої точки транзистора (Ic, Ucн, Uзн), а також струми і напруги для інших гілок схеми. Це часто і найбільш просто здійснюється графоаналітичним методом, який передбачає побудову навантажувальної прямої Ic = (Ec-Uсн) / Rc і динамічної стоко-затворної характеристики транзистора Ic = f1 (Uзн) при Rc = const, на яких планують положення робочої точки. У свою чергу, навантажувальна пряма і динамічна стоко-затворна характеристика попередньо будуються на родинах статичних стічних Ic = f1 (Uсн) при Uзн = const і стоко-затворів Ic = f2 (Uзн) при Uсн = const характеристик. На рис. 16 наведено приблизний вигляд таких характеристик для униполярного транзистора.

Від положення робочої точки транзистора підсилювального каскаду залежать параметри транзистора, а отже, і параметри підсилювача, такі, наприклад, як коефіцієнт посилення по напрузі кu0, допустима величина вхідної напруги Uвхмакс перевищення якої веде до спотворення вихідного сигналу, коефіцієнт корисної дії і т.д. При заданих Ес і Rc змінити положення робочої точки транзистора можна тільки за рахунок зміни напруги джерела ЄСМ (см.ріс.15).

Рис.16. Статичні вольт-амперні характеристики униполярного транзистора: а) стічні, б) стоко-затворні

Робоча точка транзистора зазвичай вибирається близько до середини лінійного ділянки динамічної стоко-затворної характеристики (клас А). При цьому буде забезпечена найбільша величина допустимого вхідного напруги Uвхмакс при двополярної (в окремому випадку синусоидальном) вхідному сигналі.

При аналізі роботи схем на уніполярніх транзисторах по змінному струмі вікорістовується малосигнальная еквівалентна схема транзистора, зображена на рис. 17а. Тут Ri - Внутрішній діференціальне Опір транзистора (Опір каналу), S- крутість стоко-затворної характеристики в робочій точці, СЗН, СЗС и Ccн - міжелектродні ємності транзистора, звані відповідно вхідній, прохідній и вихідний. Цю схему можна превратить в еквівалентну їй (рис. 17б), В якій фігурує вхідні динамічна Ємність транзистора Свхдін, яка візначається співвідношенням Свхдін = СЗН + СЗС (1 + К), де К - коефіцієнт Посилення каскаду по напрузі. На рис. 17в-д показані еквівалентні схеми підсилювального каскаду окремо для середніх, високих і низьких частот. На середніх частотах, коли реактивні компоненти схеми можна не враховувати, неважко отримати формулу для коефіцієнта посилення по напрузі кu0 = S (Ri || Rc || Rн). З огляду на, що в більшості випадків Ri >> Rc і Rн >> Rc, кu0 @ SRС.

На високих частотах не можна нехтувати ємностями, шунтирующими навантаження. До них відносяться: вихідна ємність розглянутого каскаду, вхідна динамічна ємність транзистора наступного каскаду (або ємність навантаження) і паразитна монтажна ємність. Ці ємності включені між собою паралельно, тому в еквівалентній схемі рис. 17г ємність С0равна їх сумі.

Постійна часу t в перезаряда заряду ємності С0 дорівнює: t в = С0 (Ri || Rc || Rн). Відповідно вища гранична частота fв смуги пропускання підсилювача визначається як fв = (2ptв) -1. Розширити смугу пропускання підсилювача в умовах, коли вже задані Rн і тип транзистора, можна тільки за рахунок зменшення Rc. Однак при цьому зменшується кu0.

На низьких частотах стає помітним опір розподільного конденсатора Порівн. Постійна часу tн перезаряда Ср як видно з еквівалентної схема рис. 17д, дорівнює tн = ср (Ri || Rc + Rн), і якщо в якості Rн виступає Rз подальшого каскаду, то Rн >> Rc, і тоді tн @ СрRн. Нижча гранична частота fн смуги пропускання пов'язана з tн наступним чином: fн = (2ptн) -1. Тому для розширення смуги пропускання підсилювача в сторону нижчих частот потрібно збільшувати СР і Rн.

Амплітудні характеристики підсилювача Uвх = f (Uвх) за якими визначають кu0 і Uвхмакс, зазвичай знімаються на середньої або блізкoй до неї частоті. На цій частоті зсув по фазі між вихідним і вхідним сигналами відсутня, а впливом реактивних компонентів на роботу схеми можна знехтувати.

При посиленні імпульсних сигналів підсилювач з обмеженою пропускною здатністю (в межах fв -fн) спотворює їх форму. Якщо подати на вхід підсилювача ідеальний прямокутний імпульс, то на виході вийде сигнал з тривалістю фронту tф = 2,2tв і відносним спадом вершини dU = DU / Um = tи / tн де DU абсолютний спад вершини імпульсу, а Um і tи. - відповідно амплітуда і тривалість вихідного імпульсу.

Одним із шляхів розширення смуги пропускання підсилювача, а отже, зменшення спотворення підсилюємо імпульсних сигналів є доповнення підсилювача спеціальними коригуючими ланцюгами. Такі ланцюга представлені на принципової схема підсилювача рис. 18а. Тут Rф і Сф забезпечують поліпшення низькочастотних властивостей підсилювача, а Lк - високочастотних. Дія цих ланцюгів засноване на збільшенні опору навантаження в вихідний (стокової) ланцюга транзистора на тих частотах, де в некорректірованного підсилювачі спостерігався спад посилення.

Рис.18. Принципова схема широкосмугового підсилювача з ланцюгами корекції а) і його еквівалентні схеми на низьких б) і високих в) частотах

В області низьких частот еквівалентну схему вихідний ланцюга підсилювача можна уявити як на рис. 186. Вона побудована (з метою спрощення аналізу) в припущенні, що Ri і Rф значно більше Rс. З розгляду цієї еквівалентній схеми випливає, що вихідна напруга, яке визначається формулою

не буде залежати від частоти, якщо забезпечити рівність творів RсСф і RнСр. Якщо ж допустити, що RсСф <RнСр, то зі зменшенням частоти буде спостерігатися не спад. а зростання вихідного напруги (перекоррекція). Підсилювач буде недокорректірован, коли RсСф> RнСр.

Додавання дроселя Lк (елемент високочастотної корекції в стокової ланцюга транзистора) дозволяє отримати в вихідний ланцюга підсилювача паралельний коливальний контур (рис. 18в). резонуючий на частоті , Яка вибирається біля верхньої граничної частоти некорректірованного підсилювача. Оскільки на резонансної частоті і біля неї опір паралельного резонансного контуру, близьке до де виявляється більше модуля опору zc, що стоїть у вихідному ланцюзі транзистора у некорректірованного підсилювача то і вихідна напруга корректированного підсилювача біля wрез більше. Дня отримання найкращою формі перехідною, амплітудно-частотної і фазочастотной характеристик добротність коливального контуру Q вибирається невеликий, тобто щоб коефіцієнт корекції m = Q2 знаходився в межах 0,322 ... 0,414.

опис макета

Досліджувана схема представлена ​​на рис. 19. Схема дозволяє виконувати такі експерименти:

- знімати статичні і динамічні стоко-затворні характеристики транзистора про метою правильного вибору положення робочої точки транзистора. При цьому змінюється напруга джерела G2 і реєструється струм стоку за допомогою міліамперметра I1;

- змінювати опору резисторів і ємності конденсаторів в вихідний ланцюга транзистора з допомогою перемикачів, розташованих на передній панелі макета;

- пов'язувати спеціальні клеми, до яких підключені реєструють в прилади (мілівольтметр і осцилограф) з будь-якої контрольної точкою схеми з допомогою спеціальних клавіш.

Дослідження роботи підсилювача проводити при Ес, що дорівнює 10 В. В макеті встановлено малопотужний транзистор КП103М з параметрами S³1,3 мА / В; Uпср = 4,0 В; СЗН = 20 пФ; СЗС = 8 пФ; Рмакс = 120мВт. Інші деталі мають такі параметри:

R1 = 1,00 кОм; R2 = I кОм; R3 = 2 кОм; R4 = 100 кОм;

R5 = 910 кОм; R6 = 100 кОм; С1 = 2200 пф; С2 = 20 мкф;

C3 = 0,1 мкф; С4 = 750 пф; С5 = 4700 пф; С6 = 1200 пф

С7 = 300 пф, Lк = 5500 мкГн.

Мал. 19. Схема макета лабораторної роботи № 4

Підготувати до роботи генератор стандартних сигналів, мілівольтметр змінного струму, осцилограф і генератор прямокутних імпульсів. Ознайомившись з призначенням органів управління лабораторної установки і приєднавши до неї вимірювальні прилади, підключити установку до мережі.

1. Забезпечити роботу підсилювача в класі А.

2. Експериментально визначити коефіцієнт посилення підсилювача по напрузі, і динамічний діапазон підсилювача Uвхмакс при різних Rс. Дати висновок, як впливає опір Rc на кu0 і Uвхмакс;

3. Зібрати схему підсилювача, що має найменшу смугу пропускання. Зняти і побудувати в напівлогарифмічному масштабі АЧХ. Визначити нижній і верхній граничні частоти.

4. Повторити п. 3 дня підсилювача, має найбільш широку смугу пропускання (без ланцюгів корекції),

5. Дати висновок про вплив параметрів транзистора і деталей схеми на граничні частота смуги пропускання підсилювача.

6. Розширити смугу пропускання підсилювача (в порівнянні з п.4) за рахунок застосування ланцюгів корекції. Зняти і побудувати АЧХ і оцінити, на скільки при цьому змінилися граничні частоти.

7. Дослідити проходження імпульсного сигналу з параметрами tн = 10 мкс і f = 10 кГц через лінійний підсилювач для варіантів схеми п.3, п.4 і п.6. Оцінити спотворення форми прямокутного імпульсу в кожному випадку і знайти по спотворень граничні частоти підсилювача.

8. Розрахувати кu0, fв, fн для розглянутих варіантів підсилювача і оцінити відносну різницю між обчисленими і експериментально знайденими значеннями параметрів.

Контрольні питання

1. У чому полягає різниця між собою статичні і динамічні ВАХ униполярного транзистора?

2. Які джерела НЧ і ВЧ спотворень в підсилювачі?

3. Як розширити смугу пропускання підсилювача?

4. Які деталі визначають коефіцієнт посилення по напрузі підсилювача і його динамічний діапазон?

5. Який зв'язок між граничними частотами смуги пропускання підсилювача і спотвореннями форми прямокутного імпульсу, підсилюється їм?

література

Манаеа Є.І. Основи радіоелектроніки. - М .: Радио и связь, 1985. - С. I59-I62, 209-216.

розділ: Радіоелектроніка
Кількість знаків з пробілами: 34772
Кількість таблиць: 1
Кількість зображень: 16

..., Тайваню, США. Телефон-трубка зібрана на семи транзисторах. Харчування схеми знімається з діодного моста VD4 - VD7 через герконовий (або іншого типу) перемикач SA1. На транзисторах VT1, VT2, VT3 зібрані диференціальна схема і електронний ключ для набору номера. Харчування розмовної частини схеми знімається з дільника R5, R8 і залежить від номіналу резистора R8, (150 - 200 Ом). На транзисторі VT4 ...

...). Перспективи розвитку мікроелектроніки Функціональна мікроелектроніка. Оптоелектроніка, акустоелектроніка, магнетоелектроніка, біоелектроніка і ін. Зміст лекцій 1 Цілі і завдання курсу "Електронні, квантові прилади і мікроелектроніка". Фізика напівпровідників. pn- переходи. Напівпровідникові діоди. Різновиди і характеристики. 2 Транзистори. Принцип дії, різновиди та ...

... індикатором значення: тобто якщо поруч з резистором варто індикатор 1k, насправді резистор має опір в 1k. Однак це припущення далеко від істини: всі компоненти, що використовуються в електронних схемах, мають допуски на номінальне значення. Програма PSpice дозволяє привласнювати допуски параметрів компонентів. Тоді в ході одного аналізу Монте-Карло одна і та ж схема може ...

... кафедру для затвердження. Після затвердження куратор проекту від кафедри проставляє оцінку студенту. ЛІТЕРАТУРА Основна література 1. Павлов В.М., Ногін В.Н. Схемотехніка аналогових електронних пристроїв. М .: Радио и связь, 1997. 2. Ногін В.Н. Аналогові електронні пристрої. М .: Радио и связь, 1992. 304 с. 3. Остапенко Г.С. Підсилювальні пристрої. М .: Радио и связь, 1989. 400 с. ...